Intel18A

半導体

Intel、次世代EUV露光装置で量産出荷した業界初の企業に

ASMLのHigh NA EUV露光装置が、研究開発の段階を超えた。 1台約4億ドルの装置が量産ラインに入った ASMLは現地時間7月15日、Intel FoundryがIntel 18Aプロセスの一部レイヤーにHigh NA EUV（高開口数EUV）リソグラフィを適用し、Core Ultra Series 3（Panther Lake）プロセッサの量産出荷を開始したと発表した。 High NA EUVで製造したロジック半導体を量産出荷するのは、業界で初めてとなる。 High NA EUVは、従来のEUVスキャナー（NXEシリーズ）の開口数0.33を0.55に引き上げた次世代リソグラフィ技術で、1回の露光でより微細なパターンを描ける。解像度は約67%向上し、複雑なマルチパターニング工程を削減できる可能性がある。 代わりに、コストは跳ね上がる。装置1台の価格は3億8000万～4億ドルと従来型の約2倍で、1回の露光コストも約2.5倍とされる。 従来EUV（NXE）vs High NA EUV（EXE） 従来EUV