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サムスン、UFS 5.0ストレージを開発。スマホAIの速度が変わる

スマートフォン

サムスン、UFS 5.0ストレージを開発。スマホAIの速度が変わる

スマートフォンで動くAIの応答速度を決めているのは、プロセッサだけではない。端末のストレージがどれだけ速いか、それがAIの体感速度を左右する。その「見えないボトルネック」を取り除く新世代の記憶媒体を、サムスン電子が開発した。 読み書き速度が2倍になる サムスン電子は6月23日、次世代モバイルストレージ規格UFS 5.0に準拠した製品の開発を完了したと発表した。2026年第4四半期に最大1TBの容量で量産を開始する。 性能の跳ね方が大きい。シーケンシャルリードで最大10.8GB/s、ライトで最大9.5GB/s。現行のUFS 4.1と比べ、読み書きともに2倍以上だ。メモリ製品企画担当のチェ・ジャンソク（Jangseok Choi）氏は「オンデバイスAI時代において、ストレージはAI体験を左右するドライバーへと進化している」としている。 UFS 4.1 vs UFS 5.0 シーケンシャル速度比較 ※UFS 4.1のリード/ライト速度はサムスンUFS 4.0公式値（同インターフェース帯域HS-G5）。UFS
DDR6基板開発、メモリ3社が標準確定前から先行競争

DDR5

DDR6基板開発、メモリ3社が標準確定前から先行競争

JEDEC標準がまだ確定していないDDR6で、サムスン電子・SKハイニックス・マイクロンの3社が基板メーカーと共同開発を始めている。規格主導権を狙った先行設計の競争で、量産は2028〜2029年以降が見込まれている。 DDR6基板開発、標準確定前からの先行競争 次世代サーバー向けDRAMのDDR6について、メモリ3社が基板の先行開発に着手している。韓国メディアのThe Elec(디일렉)が4日に報じた内容によれば、サムスン電子・SKハイニックス・マイクロンの主要メモリ3社が、最近になって基板メーカーへDDR6の先行開発を要請したという。基板メーカー側はメモリの厚さ、積層構造、配線などを考慮した設計に着手し、初期試作品の検証を進めている。 通常、メモリ業者と基板業者は製品出荷の2年以上前から共同開発を始めるとされる。今回の動きは、その時計が回り始めたことを示す。 「メモリ企業と基板企業は通常、製品出荷の2年以上前から共同開発を進める」 The Elecが伝えた基板業界関係者の発言 標準が固まる前から 物理設計の前倒し に踏み込むのは、異例とまでは言えないにせよ、規格主導権争